● 最為活躍的193nm浸入式光刻技術簡介
直至2002年底浸入式技術迅速成為光刻技術中的新寵，而此前業界并沒有認為浸入式技術有如此大的功效。因為此種技術的原理清晰及配合現有的光刻技術變動不大，獲得了人們的極大贊賞。
在傳統的光刻技術中，其鏡頭與光刻膠之間的介質是空氣，而所謂浸入式技術是將空氣介質換成液體。實際上，浸入式技術利用光通過液體介質后光源波長縮短來提高分辨率，其縮短的倍率即為液體介質的折射率。例如，在193nm光刻機中，在光源與硅片（光刻膠）之間加入水作為介質，而水的折射率約為1.4，則波長可縮短為193/1.4=132nm。
如果放的液體不是水，或者是其它液體，但折射率比1.4高時，那實際分辨率可以非常方便地再次提高，這也是浸入式光刻技術能很快普及的原因。
浸入式技術目前采用的是兩次去離子的蒸餾水，碰到主要的問題如下：
在浸入式光刻機系統中，由于多種原因都可能產生氣泡，如減壓、氣泡表面的空氣滲透、硅片表面的空氣吸入或者與光刻膠表面的作用等。曾經作了氣泡從形成到破裂的壽命試驗，實驗發現（包括理論的估計）微細氣泡的壽命正比于它的直徑，許多微細氣泡在破裂之前實際己經分解。
193nm浸入式光刻技術是所有活躍的光刻技術中最為長壽最富有競爭力的，從這項技術一經提出，就獲得了全球半導體廠商的一致認可。因為它的構成方法可行并且投入小，除了節省設備制造商以及制程采用者大量研發及導入成本之外，它還擊敗開發過程問題重重的157nm光源的干式光刻技術。