一、晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging)簡(jiǎn)介 晶圓級(jí)封裝(WLP，Wafer Level Package) 的一般定義為直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝測(cè)試程序，之后再進(jìn)行切割(singulation)制成單顆組件。而重新分配(redistribution)與凸塊(bumping)技術(shù)為其I/O繞線的一般選擇。WLP
一、晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging)簡(jiǎn)介
晶圓級(jí)封裝(WLP，Wafer Level Package) 的一般定義為直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝測(cè)試程序，之后再進(jìn)行切割(singulation)制成單顆組件。而重新分配(redistribution)與凸塊(bumping)技術(shù)為其I/O繞線的一般選擇。WLP封裝具有較小封裝尺寸(CSP)與較佳電性表現(xiàn)的優(yōu)勢(shì)，目前多用于低腳數(shù)消費(fèi)性IC的封裝應(yīng)用(輕薄短小)。
晶圓級(jí)封裝(WLP)簡(jiǎn)介
常見(jiàn)的WLP封裝繞線方式如下：1. Redistribution (Thin film), 2. Encapsulated Glass substrate, 3. Gold stud/Copper post, 4. Flex Tape等。此外，傳統(tǒng)的WLP封裝多采用Fan-in 型態(tài)，但是伴隨IC信號(hào)輸出pin數(shù)目增加，對(duì)ball pitch的要求趨于嚴(yán)格，加上部分組件對(duì)于封裝后尺寸以及信號(hào)輸出腳位位置的調(diào)整需求，因此變化衍生出Fan-out 與Fan-in + Fan-out 等各式新型WLP封裝型態(tài)，其制程概念甚至跳脫傳統(tǒng)WLP封裝，目前德商英飛凌與臺(tái)商育霈均已經(jīng)發(fā)展相關(guān)技術(shù)。
二、WLP的主要應(yīng)用領(lǐng)域
整體而言，WLP的主要應(yīng)用范圍為Analog IC(累比IC)、PA/RF(手機(jī)放大器與前端模塊)與CIS(CMOS Image Sensor)等各式半導(dǎo)體產(chǎn)品，其需求主要來(lái)自于可攜式產(chǎn)品(iPod, iPhone)對(duì)輕薄短小的特性需求，而部分NOR Flash/SRAM也采用WLP封裝。此外，基于電氣性能考慮，DDR III考慮采用WLP或FC封裝，惟目前JEDEC仍未制定最終規(guī)格(注：至目前為止， Hynix, Samsung與 Elpida已發(fā)表DDR III產(chǎn)品仍采FBGA封裝)，至于SiP應(yīng)用則屬于長(zhǎng)期發(fā)展目標(biāo)。此外，采用塑料封裝型態(tài)(如PBGA)因其molding compound 會(huì)對(duì)MEMS組件的可動(dòng)部份與光學(xué)傳感器(optical sensors)造成損害，因此MEMS組件也多采用WLP封裝。而隨著Nintendo Wii與APPLE iPhone與iPod Touch等新興消費(fèi)電子產(chǎn)品采用加速傳感器與陀螺儀等MEMS組件的加溫，成為WLP封裝的成長(zhǎng)動(dòng)能來(lái)源。
WLP的主要應(yīng)用領(lǐng)域
